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亿海神盾系列

具有完全自主的芯片架构、电路结构和EDA软件
提供用户可选择的抗辐照方案

产品优势

● 基于静态存储器(SRAM)结构

● 基于0.13μm CMOS 工艺

● 高性能、高靠可

● 具有较高的抗辐照及抗单粒子翻转能力

● 18240到35840个4输入查找表(LUT)

● 内嵌可配置存储器和PLL硬核

● 具有高速时钟管理功能

● 丰富的I/O资源,支持多种配置方式

● 使用自主研发软件Passkey9.0集成综合环境进行开发验证


产品表

  • LUT
  • 存储单元
  • BRAM
  • PLL
  • 全局时钟
  • 乘法器
  • 最大I/O
  • 温度

ER2HL18   

  • 18K
  • 48
  • 864K bit
  • 8
  • 16
  • 16
  • 48
  • -55℃-125℃

ER2HL35   

  • 35K
  • 384
  • 1728K bit
  • 12
  • 16
  • 32
  • 128
  • -55℃-125℃

技术支持

亿海微宣传册2022V3.0

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